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    山东十一运夺金走势图:基于FRAM的存储器和MCU器件构建低功耗能量采集应用

    电子设计 ? 2019-03-18 08:08 ? 次阅读

    山东11选5走势图 www.iic6.com 虽然EEPROM和闪存通常是大多数应用中非易失性存储器(NVM)的首选,但铁电RAM(FRAM)为能量收集应用中的许多低功耗设计(如无线传感器节点)提供了明显的优势。智能电表和其他数据记录设计。凭借其延长的写周期耐久性和数据保留时间,FRAM技术可帮助设计人员满足使用可用FRAM IC和基于FRAM的MCU的十年,低功耗NVM操作的要求,这些MCU来自赛普拉斯半导体,富士通半导体,ROHM Semiconductor等制造商和德州仪器。

    传统的NVM,如闪存和EEPROM,以浮动栅极中的电荷载流子的形式存储数据,需要电荷泵将电压提升到迫使载流子通过栅极氧化物所需的电压。因此,随着这些器件固有的长写延迟和高功耗,它们的高压写操作最终会耗尽单元 - 有时只需10,000个写周期。

    FRAM优势

    相比之下,铁电RAM(FRAM)通过铁电材料锆钛酸铅或PZT(Pb(ZrTi)O3)的极化来存储数据,在两个电极之间放置薄膜,类似于电容器的结构。与DRAM一样,FRAM阵列中的每个位都是单独读取和写入的,但是当DRAM使用晶体管电容来存储该位时,FRAM在晶体结构中使用偶极移位,用于施加电场引起的相应位穿过电极(图1)。由于在去除电场后这种极化仍然存在,即使没有可用功率,FRAM数据也会无限期地持续存在 - 这是由不确定的环境源驱动的设计的重要能力。

    基于FRAM的存储器和MCU器件构建低功耗能量采集应用

    图1:在FRAM单元中,数据存储为在PZT薄膜上施加电场引起的极化状态 - 一种方法这样可以实现更长的数据保留,并消除浮栅技术中的磨损。 (由富士通半导体公司提供)

    除了实现FRAM的非易失性外,晶体极化的使用与基于电荷存储的技术相比具有许多优势(见表1)。因为它避免了浮栅技术的潜在降级效应,所以FRAM存储器的寿命及其在功率损耗面前保留数据的能力实际上是无限的。例如,富士通半导体MB85R1001A和ROHM半导体MR48V256A等FRAM存储器件均具有10年的数据保持性能。

    FRAM EEPROM FLASH SRAM存储器类型非易失性非易失性非易失性易失性写入方法覆盖擦除+写入擦除+写入覆盖写入周期时间150 ns 5 ms10μs55ns读取/写入周期10 13 10 6 10 5 无限制助推器电路否是是否数据备份电池否否否是

    表1:FRAM与其他存储器技术的比较。 (由Fujitsu Semiconductor提供)

    通过消除对浮栅存储器技术所需的电荷泵的需求,FRAM可以在3.3 V或更低的典型电源范围内工作。此外,与存储电荷存储器设备不同,FRAM器件耐α粒子并且通常表现出低于可检测极限的软错误率(SER)。

    设计影响

    FRAM优势的影响源于需要高速写入和低功耗操作相结合的系统设计,例如无线传感器节点。例如,由于其高速率,设计人员可以使用单个FRAM器件,他们可能需要并联排列多个EEPROM器件以实现可接受的数据写入吞吐率。在那些EEPROM设计中,当一个EEPROM器件完成其写周期时,控制器将依次启动对下一个EEPROM器件的写操作,依此类推。但是,对于FRAM,所有写操作都是以随机访问的速度在总线速度下进行的,没有基于内存的延迟或其他写入减速。因此,FRAM内存通??梢栽诿飨愿偷哪芰恳笙率迪直菷lash快得多的写入。

    设计人员还可以消除对确保数据完整性所需的电源备份策略的需求。对于EEPROM系统,当检测到电源故障时,存储器控制器必须完成所需数据块大小的完整写入周期 - 需要额外的能量存储以确?;贓EPROM的设计中的写周期完成。凭借其快速的周期时间,FRAM即使在突然断电时也能够完成写入过程,从而确保数据完整性,而无需复杂的电源备份方法。

    在应用层面,FRAM的快速写作速度和低功率运行还可以在能量采集应用中实现连续测量,例如无线传感器或电表。在给定的功率预算下,FRAM器件将能够以比其他NVM技术更精细的粒度完成更多的读/写周期。

    FRAM还为开发人员提供统一的内存架构,支持灵活的代码和数据分区,并允许更简单,更小的单芯片内存解决方案。同时,设计人员可以使用简单的写?;さ缏?/u>轻松?;ご娲⒃贔RAM中的代码免受无意写入,从而为基于FRAM的设计提供可编程块写?;すδ埽ㄍ?,HC151多路复用器)。

    基于FRAM的存储器和MCU器件构建低功耗能量采集应用

    图2:设计人员可以使用低功耗多路复用器(如HC151)实现简单的地址相关写入使能功能,以?;ご娲⒃贔RAM器件中的代码。 (赛普拉斯半导体提供)

    器件配置

    设计人员可以找到支持并行,SPI串行或I 2 C/2线串行接口的FRAM存储器。例如,除了并行的1Mb MB85R1001A FRAM外,富士通还提供1Mb SPI串行器件MB85RS1MT,使设计人员能够在典型的SPI主/从配置中采用任意数量的器件(图3)。除了在比并联电源更低的电源电压下工作外,串行FRAM器件还为空间受限的设计提供更小的封装选择。例如,ROHM Semiconductor 32K SPI串行MR45V032A采用8引脚塑料小外形封装(SOP),尺寸仅为0.154“和3.90 mm。

    基于FRAM的存储器和MCU器件构建低功耗能量采集应用

    图3:富士通MB85RS1MT等设备允许对配备SPI的MCU使用熟悉的主/从配置 - 或者使用设备的SI和SO端口的简单总线连接解决方案,用于非基于SPI的设计。由富士通半导体公司提供)

    FRAM技术的优势扩展到具有片上FRAM的德州仪器MSP430FR MCU系列等MCU。在MCU中,FRAM的高速操作可加快整体处理速度,允许写入非易失性存储器以全速运行,而不是强制MCU进入等待状态或阻塞中断。 TI的FRAM MCU系列从MSP430FR5739等器件扩展到全功能MSP430FR5969系列。作为MSP430系列中最小的器件,MSP430FR5739采用24引脚2 x 2芯片尺寸球栅阵列(DSBGA),包括5个定时器,12通道10位ADC和直接存储器访问(DMA)用于最小化工作模式下的时间。

    TI的MSP430FR5969是该公司功耗最低的MCU,具有大量片上FRAM存储器(图4)。在工作模式下,MCU仅需要100μA/MHz有效模式电流和450 nA待机模式电流,并启用实时时钟(RTC)。该系列中的器件包括一套全面的外设和一个16通道12位模数转换器(ADC),能够进行单输入或差分输入操作。这些MCU还具有256位高级加密标准(AES)加速器和知识产权(IP)封装???,用于?;す丶?。

    基于FRAM的存储器和MCU器件构建低功耗能量采集应用

    图4 :德州仪器(TI)MSP430FR5969 MCU将完整的外设与片上FRAM存储相结合,同时仅需要100μA/MHz的有源模式电流,并且其多种低功耗模式(LPM)显着降低。(德州仪器提供)

    结论

    FRAM器件提供10年数据保留时间的非易失性存储器,其功耗仅为熟悉的闪存和EEPROM替代产品所需功耗的一小部分。利用可用的基于FRAM的存储器和MCU器件,工程师可以将这些强大的器件构建到低功耗能量采集应用中,并且可以自信地运行多年,并在间歇性断电的情况下保持长期数据。

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    锂电池?;すδ芗?8V锂电池的用途介绍

    锂电池的?;すδ芡ǔS杀;さ缏钒搴蚉TC等电流器件协同完成,?;ぐ迨怯傻缱拥缏纷槌?,在-40℃至+8....
    的头像 牵手一起梦 发表于 07-03 15:59 ? 418次 阅读
    锂电池?;すδ芗?8V锂电池的用途介绍

    MCU工程师需要了解的FPGA硬件属性

    事实上,MCU对有些任务来说是很适合的,但对其它一些任务来说可能做的并不好。举例来说,当需要并行执行....
    发表于 07-03 14:52 ? 107次 阅读
    MCU工程师需要了解的FPGA硬件属性

    单片机原理及其接口技术的详细资料说明

    本文档的主要内容详细介绍的是单片机原理及其接口技术的详细资料说明包括了:1.微型计算机基础。,2.5....
    发表于 07-03 08:00 ? 83次 阅读
    单片机原理及其接口技术的详细资料说明

    MM54HC138和MM74HC138的3到8线解码器数据手册免费下载

    该译码器采用先进的硅栅CMOS技术,非常适合于存储器地址译码或数据路由应用。该电路具有高噪声抗扰性和....
    发表于 07-02 16:33 ? 44次 阅读
    MM54HC138和MM74HC138的3到8线解码器数据手册免费下载

    浅谈嵌入式系统IC的市场格局

    MCU市场近几年保持着增长的态势,32位及以上的MCU、DSP等保持了相对较大的增长势头,其他领域则....
    发表于 07-02 11:35 ? 135次 阅读
    浅谈嵌入式系统IC的市场格局

    2019年瑞萨电子在中国主推的产品有哪些?

    近日,瑞萨开始了新一轮的产品巡回研讨会,首站厦门,随后在南京和西安三地巡回举办,在研讨会上瑞萨全系列....
    的头像 荷叶塘 发表于 07-01 10:53 ? 1050次 阅读
    2019年瑞萨电子在中国主推的产品有哪些?

    STM32通用定时器的单脉冲示例详解

    基于学习的目的,详细讲解关于标准外设库中的定时器的 17 个示例项目函数文件。本次介绍 OnePul....
    发表于 07-01 08:00 ? 76次 阅读
    STM32通用定时器的单脉冲示例详解

    LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

    信息 LE2416RLBXA是一个2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该设备与I C内存协议兼容;因此,它最适合需要小规??芍匦捶且资圆问娲⑵鞯挠τ?。 单电源电压:1.7V至3.6V(读?。?擦除/写入周期: 10 循环(页面写入) 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40到+ 85°C 接口:双线串行接口(I C总线) 工作时钟频率:400kHz 低功耗: 待机:2μA(最大) 有效(读?。?.5mA(最大) 自动页面写入模式:16字节 读取模式:顺序读取和随机读取 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性...
    发表于 04-18 20:23 ? 8次 阅读
    LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线,串行接口,16 kbits(2k x 8位)

    TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

    信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...
    发表于 04-18 20:08 ? 39次 阅读
    TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

    TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

    信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
    发表于 04-18 20:05 ? 36次 阅读
    TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

    TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

    信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ? VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) ?;すδ?,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
    发表于 04-18 20:05 ? 30次 阅读
    TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

    TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

    信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断?;?。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
    发表于 04-18 20:05 ? 35次 阅读
    TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

    TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

    信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
    发表于 04-18 20:05 ? 62次 阅读
    TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

    AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I2C接口和50-TP存储器

    信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I2C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展...
    发表于 04-18 19:35 ? 6次 阅读
    AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I2C接口和50-TP存储器

    AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

    信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展工业...
    发表于 04-18 19:35 ? 8次 阅读
    AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

    AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

    信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
    发表于 04-18 19:31 ? 6次 阅读
    AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

    AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

    信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+? 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
    发表于 04-18 19:31 ? 2次 阅读
    AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

    AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

    信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写?;すδ?上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
    发表于 04-18 19:29 ? 0次 阅读
    AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

    AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

    信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写?;すδ?上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
    发表于 04-18 19:29 ? 4次 阅读
    AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

    AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

    信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写?;?数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值?;镜髡J骄褪窃谟伪晡簧柚?RDAC)寄...
    发表于 04-18 19:29 ? 36次 阅读
    AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

    AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

    信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写?;?数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值?;镜髡J骄褪窃谟伪晡簧柚?RDAC)寄存器...
    发表于 04-18 19:29 ? 74次 阅读
    AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

    AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

    信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写?;?电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI?-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
    发表于 04-18 19:28 ? 74次 阅读
    AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

    AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

    信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 μs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写?;?游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和??啬芰?。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可?;E...
    发表于 04-18 19:28 ? 47次 阅读
    AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

    CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

    信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件?;?低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写?;?- ?;? / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写?;さ母郊颖晔兑?..
    发表于 04-18 19:13 ? 50次 阅读
    CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

    CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

    信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写?;さ母郊颖晔兑常ㄐ虏罚?自定时写周期 硬件和软件?;? 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写?;? / li> - ?;? / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
    发表于 04-18 19:13 ? 46次 阅读
    CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

    CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

    信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┢粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件?;?块写?;? - ?;? / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
    发表于 04-18 19:13 ? 48次 阅读
    CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

    CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

    信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片?。ǎ┦淙肫粲?。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写?;すδ?,包括部分和全部阵列?;?。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件?;?块写?;?- ?;? / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
    发表于 04-18 19:13 ? 54次 阅读
    CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器
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