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    山东11选五预测推荐:2019年Q1存储市场将出现8年来单季最大跌幅

    2019年03月17日 11:03 ? 次阅读

    山东11选5走势图 www.iic6.com
    据国外媒体报道,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的最新调查显示,2019年Q1,由于市场供过于求,DRAM产业的大部分交易已改为月结价(Monthly Deals),价格也在2月份出现大幅下滑,季度降幅已从最初估计的25%调整至近30%,这将是自2011年以来单季最大跌幅。

    DRAMeXchange指出,从市场的角度来看,从去年第四季度开始,整体合约价开始下滑,随后库存水位持续上升。

    最近,DRAM原厂库存(包括晶圆存货)普遍来到至少一个半月的高水位。在需求低迷的情况下,PC-OEM也无法消化供应商的DRAM颗粒,整体市场呈现出“无量下跌”的态势。

    这意味着即使原厂愿意大幅度降价出售,也无法有效刺激销量。如果需求没有强劲回归,高库存水平今年将导致DRAM价格继续下滑。

    放眼一两年后的DRAM市场,三大厂商在市场份额上的竞争不会停止。SK海力士(SK Hynix)已经宣布,将投资120万亿韩元(约1070亿美元)建造4个晶圆厂,以保持竞争优势。美光集团(Micron Group)则加码于在台湾建立包装和测试工厂。、

    与此同时,美光内存正在考虑兴建一家全新的12寸DRAM厂,该厂可能在明年年底完工,2021年投产。目前,三星正在平泽兴建第二家工厂。

    集成电路TOP 10继续洗牌

    自2016年以来,个人电脑(PC)和手机对内存的需求逐步扩大,包括个人电脑从HDD转换为SSD,DRAM的容量不断增大,以及智能手机的NAND闪存和DRAM的容量也在不断增大,导致整体内存市场进入快速上涨阶段。

    2017年和2018年连续两年,全球半导体第一的位置(按收入计算)都被三星抢走,主要是过去两年内存和闪存价格上涨,推动三星营收一路增长。

    然而,三星的好日子可能不得不在2019年结束了。IC Insights的预测显示,由于内存芯片(包括DRAM内存和NAND闪存)行情转冷,三星半导体产品的年营收将同比下滑20%。虽然英特尔基本保持平稳,但最终结果会是三星再次跌至第二位,英特尔重回第一。

    今年存储市场营收将下降24%,由此导致半导体行业营收也将下降约7%。三星在半导体方面的营收83%都是基于存储芯片,因此遭受的冲击是巨大的。

    此外,全球前10大存储芯片供应商(SK海力士、美光、东芝等)的营收也将下降20%以上,这三家公司的营收预计将跌回到2017年的水平或者更低水平。

    三星、SK海力士和美光2019年Q1的内存和闪存营收将暴跌29%

    在过去两年里,DRAM内存和NAND闪存市场经历了起起落落,这也导致了内存??楹凸烫才痰某中?。

    掌握核心芯片资源的三星电子、SK海力士、美光等巨头自然赚了很多钱,甚至故意压低产能来控制市场。

    但随着时间的推移,整个市场突然发生了变化。由于季节性因素、库存积压和价格下降,这三巨头的日子越来越不好过了。

    《电子时报》的研究数据显示,2018年第四季度,三星电子、SK海力士和美光的内存、闪存总营收同比下降了26%,环比下降了18%,其中内存占了17%,闪存占了20%。

    因为内存芯片价格的持续下滑,下游渠道担心库存难以消化,下单都非常谨慎,不管是智能手机还是服务器都是如此。

    这三巨头的内存和闪存营收预计将在2019年第一季度同比下降29%,环比下降26%。目前,三星电子、SK海力士、美光三家公司的营收仍占行业总营收的70%,基本保持不变。?

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    ADAU1466 SigmaDSP 紧凑型数字音...

    ADAU1467 具有扩展内部存储器和 I/O ...

    和特点 通过汽车应用认证完全可编程音频DSP,可改善声音处理性能可利用专有图形编程工具SigmaStudio开发自定义信号流程 最高294.912 MHz、32位SigmaDSP内核(1.2 V) 高达24 k字程序存储器 高达80 k字参数/数据RAM 48 kHz时每样本最多6144个SIMD指令48 kHz时数字音频延迟池最高1600 ms 音频I/O和路由 4个串行输入端口,4个串行输出端口 48通道、32位数字I/O,采样速率高达192 kHz 用于TDM、I2S、左对齐和右对齐格式、以及PCM的灵活配置 8个立体声ASRC,比率范围从1:8到7.75:1和139 dB动态范围 立体声S/PDIF输入和输出(192 kHz时) 4个PDM麦克风输入通道 多通道、字节可寻址TDM串行端口 时钟振荡器可从晶振产生主时钟 整数PLL和灵活的时钟发生器 集成裸片温度传感器I2C和SPI控制接口(从机和主机) 独立操作 从串行EEPROM自引导 8通道、10位SAR辅助控制ADC 26个多用途引脚用于数字控制和输出 片内调节器用于从3.3 V电源产生1.2 V 88引脚、12 mm × 12 mm LFCSP封装,具有5.3 mm裸露焊盘 温度范围:-40°C至+105°C 产品详情 ADAU1463/ADAU1467 分别是获得汽车认证的音...

    发表于 2019-02-22 15:01 ? 0次阅读
    ADAU1467 具有扩展内部存储器和 I/O ...

    ADUC7124 精密模拟微控制器,12位模拟I...

    和特点 多通道、12位、1 MSPS ADC多达16个ADC通道 全差分模式和单端模式 模拟输入范围:0 V至VREF 12位电压输出DAC最多提供4路DAC输出 片内基准电压源 片内温度传感器(±3°C) 电压比较器 16位/32位RISC架构ARM7TDMI内核 JTAG 端口支持代码下载和调试 修正的片内振荡器(±3%) 外部时钟晶体 可达44 MHz的外部时钟源 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADuC7124是一款完全集成的1 MSPS、12位数据采集系统,在单芯片内集成高性能多通道ADC、16位/32位MCU和Flash/EE存储器。ADC具有多达12路单端输入。另外还有2路输入,但它们与2个DAC输出引脚复用。ADC可以在单端或差分输入模式工作。ADC输入电压范围为0 V至VREF。低漂移带隙基准电压源、温度传感器和电压比较器完善了ADC的外设设置。通过编程可以将DAC输出范围设置为三种电压范围之一。DAC输出具有一个增强特性,能够在看门狗或软件复位时序中保存其输出电压。该器件通过一个片内振荡器和锁相环(PLL)产生41.78MHz的内部高频时钟信号。该时钟信号通过一个可编程时钟分频器进行中继,在其中产生MCU内核时钟工作频...

    发表于 2019-02-22 14:54 ? 0次阅读
    ADUC7124 精密模拟微控制器,12位模拟I...

    ADUC7061 低功耗、精密模拟微控制器、双通...

    和特点 模拟输入/输出 - 更多信息请参考数据手册。 微控制器16位/32位RISC架构、ARM7TDMI内核JTAG端口支持代码下载和调试多时钟选项 存储器32 kB (16 kB × 16) Flash/EE 存储器4 kB (1 kB × 32) SRAM 工具在线下载、基于JTAG的调试低成本QuickStart开发系统 通信接口 SPI 接口(5 Mbps)4字节Rx 和 Tx FIFOs UART 串行I/O 和I2C (主/从) 欲了解更多信息,请参考数据手册 产品详情 ADuC7060/ADuC7061均为完全集成的8 kSPS、24位数据采集系统,在单芯片上集成高性能多通道Σ-Δ型模数转换器(ADC)、16位/32位ARM7TDMI? MCU和Flash/EE存储器。ADC包括一个5通道主ADC和一个最多8通道辅助ADC,可在单端或差分输入模式下工作。片上提供一个单通道缓冲电压输出DAC,通过编程可将DAC输出范围设置为两种电压范围之一。这些器件通过一个片内振荡器和锁相环(PLL)产生最高达10.24 MHz的内部高频时钟信号。微控制器内核为ARM7TDMI,它是一个16位/32位RISC机器,峰值性能最高可达10 MIPS。片内集成有4 KB SRAM和32 KB非易失性Flash/EE存储器。ARM...

    发表于 2019-02-22 14:53 ? 0次阅读
    ADUC7061 低功耗、精密模拟微控制器、双通...

    ADSP-BF514F16 集成16 MB FL...

    和特点 高达400MHz的高性能Blackfin处理器2个16位MAC、2个40位ALU、4个8位视频ALUs、40位移位器RISC式寄存器和指令模型,简化编程并提供编译器相关支持 宽工作电压范围 通过汽车应用认证 168引脚CSP_BGA封装或176引脚LQFP_EP封装(裸露焊盘) 存储器116KB片内存储器外部存储器控制器无缝支持SDRAM和异步8/16位存储器带引导选项的可选16Mb SPI闪存 外设IEEE 802.3兼容型10/100以太网MAC,支持IEEE 1588(仅限ADSP-BF518/ADSP-BF518F16)并行外设接口(PPI),支持ITU-R 656视频数据格式 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADSP-BF512、ADSP-BF514/ADSP-BF514F16、ADSP-BF516、ADSP-BF518/ADSP-BF518F16处理器属于Blackfin?系列产品,采用ADI公司/Intel公司的微信号架构(MSA)。 Blackfin处理器将先进的双MAC信号处理引擎、干净且正交的RISC式微处理器指令集的优势和单指令、多数据流(SIMD)多媒体能力结合为一个指令集架构。ADSP-BF514F16产品可代替现已停产的ADSP-BF51xF产品。 这些处理器与其它Blackfin处理...

    发表于 2019-02-22 14:50 ? 0次阅读
    ADSP-BF514F16 集成16 MB FL...

    ADSP-BF518F16 集成16 MB FL...

    和特点 高达400MHz的高性能Blackfin处理器2个16位MAC、2个40位ALU、4个8位视频ALUs、40位移位器RISC式寄存器和指令模型,简化编程并提供编译器相关支持 宽工作电压范围 通过汽车应用认证 168引脚CSP_BGA封装或176引脚LQFP_EP封装(裸露焊盘) 存储器116KB片内存储器外部存储器控制器无缝支持SDRAM和异步8/16位存储器带引导选项的可选16Mb SPI闪存 外设IEEE 802.3兼容型10/100以太网MAC,支持IEEE 1588(仅限ADSP-BF518/ADSP-BF518F16)并行外设接口(PPI),支持ITU-R 656视频数据格式 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情 ADSP-BF512、ADSP-BF514/ADSP-BF514F16、ADSP-BF516、ADSP-BF518/ADSP-BF518F16处理器属于Blackfin?系列产品,采用ADI公司/Intel公司的微信号架构(MSA)。 Blackfin处理器将先进的双MAC信号处理引擎、干净且正交的RISC式微处理器指令集的优势和单指令、多数据流(SIMD)多媒体能力结合为一个指令集架构。ADSP-BF518F16产品可代替现已停产的ADSP-BF51xF产品。 这些处理器与其它Blackfin处理...

    发表于 2019-02-22 14:49 ? 0次阅读
    ADSP-BF518F16 集成16 MB FL...

    东芝存储器的上市或将成为日本今年最大规模IPO

    据日本共同社21日报道,日本半导体巨头东芝存储器最快将于今年9月在东京证券交易所首次公开募股(IPO...

    发表于 2019-02-22 14:38 ? 2228次阅读
    东芝存储器的上市或将成为日本今年最大规模IPO

    LTC3676 面向应用处理器的电源管理解决方案

    和特点 4 通道 I2C 可调高效率降压型 DC/DC 转换器:2.5A、2.5A、1.5A、1.5A3 个 300mA LDO 稳压器 (有 2 个是可调的)具有 VTT 和 VTTR 基准的 DDR 电源解决方案具有系统复位功能的按钮 ON / OFF 控制独立的使能引脚搭接或 I2C 排序可编程自主型断电控制动态电压调节电源良好和复位功能可选的 2.25MHz 或 1.12MHz 开关频率始终保持运行的 25mA LDO 稳压器12μA 待机电流扁平 40 引线 6mm x 6mm QFN 和 48 引线裸露焊盘 LQFP 封装 产品详情 LTC?3676 是一款完整的电源管理解决方案,适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器,以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。LTC3676-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口用于控制稳压器使能、断电排序、输出电压电平、动态电压调节、操作模式和状态报告。稳压器启动的排序操作通过按期望的次序将其输出连接至使能引脚或通过 I2C 端口来完成。系统上电、断电和复位功能受控于按钮接口、...

    发表于 2019-02-22 14:30 ? 0次阅读
    LTC3676 面向应用处理器的电源管理解决方案

    LTC3612 3A、4MHz、单片式同步降压型...

    和特点 3A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 70μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95%低压差操作:100% 占空比?;缌鳎骸?μA可调开关频率:高达 4MHz可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作可编程软起动用于启动跟踪或外部基准的输入DDR 存储模式,IOUT = ±1.5A采用耐热性能增强型 20 引脚 (3mm x 4mm) QFN 和 TSSOP 封装 产品详情 LTC?3612 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在?;J街械缌鹘抵亮?。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3612 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3612 同步至一个频率高达 4MHz 的外部时...

    发表于 2019-02-22 14:28 ? 0次阅读
    LTC3612 3A、4MHz、单片式同步降压型...

    LTC3616 6A、4MHz、单片式同步降压型...

    和特点 6A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 75μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95% 低压差操作:100% 占空比 SW 节点上的可编程转换速率降低了噪声和 EMI 可调开关频率:高达 4MHz 可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿 可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作 可编程软起动 用于启动跟踪或外部基准的输入 DDR 存储模式,IOUT = ±3A 采用耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC?3616 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在?;J街薪抵亮愕缌?。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3616 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3616 同步至...

    发表于 2019-02-22 14:28 ? 0次阅读
    LTC3616 6A、4MHz、单片式同步降压型...

    LTC3614 4A、4MHz、单片式同步降压型...

    和特点 4A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 低输出纹波突发模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 75μA ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 高效率:达 95%低压差操作:100% 占空比SW 节点上的可编程转换速率降低了噪声和 EMI可调开关频率:高达 4MHz可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作可编程软起动用于启动跟踪或外部基准的输入DDR 存储模式,IOUT = ±3A采用耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC?3614 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 75μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在?;J街薪抵亮愕缌?。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3614 非常适合于单节锂离子电池和固定低电压输入应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电型系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3614 同步至一个频率高达 4M...

    发表于 2019-02-22 14:27 ? 0次阅读
    LTC3614 4A、4MHz、单片式同步降压型...

    LTC3617 用于 DDR 终端的 ±6A、单...

    和特点 ±6A 输出电流 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±10mV 输出电压准确度 专为低至 0.5V 的低输出电压而优化 高效率 用于 VTTR = VDDQIN ? 0.5 的集成型缓冲器 ?;缌鳎?lt;1μA 可调开关频率:高达 4MHz 任选的内部补偿 内部软起动 电源良好状态输出 输入过压?;?耐热性能增强型 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC?3617 是一款高效率、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件的工作输入电压范围为 2.25V 至 5.5V,并提供了一个等于 0.5 ? VDDQIN 的稳定输出电压,同时可供应和吸收高达 6A 的负载电流。内部放大器可提供一个等于 0.5·VDDQIN 的 VTTR 输出电压,并具有 ±10mA 的输出电流能力。此 IC 的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。对于那些对开关噪声敏感的应用,可以使 LTC3617 同步至一个频率高达 4MHz 的外部时钟。LTC3617 中的强制连续模式操作可降低噪声及 RF 干扰??傻鞯耐獠坎钩ナ沟媚芄辉谝桓龊芸淼母涸睾褪涑龅缛莘段谟呕蔡煊?。内部同步开关提升了效率,并免除了增设一个外部箝位二极管的需要,从而最大...

    发表于 2019-02-22 14:24 ? 0次阅读
    LTC3617 用于 DDR 终端的 ±6A、单...

    LTC3615 双通道、4MHz、3A、同步降压...

    和特点 高效率:达 94% 具 2 x 3A 输出电流能力的双路输出 低输出纹波突发模式 (Burst Mode?) 操作:IQ = 130μA 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±1% 输出电压准确度 输出电压低至 0.6V 开关引脚上的可编程转换速率 低压差操作:100% 占空比 ?;缌鳎骸?μA 可调开关频率:高达 4MHz 内部或外部补偿 可选的脉冲跳跃 / 强制连续 / 具可调突发箝位的突发模式操作 可任选的有源电压定位 (AVP) 和内部补偿 通道之間的 0° / 90° / 180° (LTC3615) 或 140° / 180° 可選相移 固定内部和可编程外部软起动 准确的启动跟踪能力 DDR 存储模式的 IOUT = ±1.5A 采用 4mm x 4mm QFN-24 封装和 TSSOP-24 封装 ? 产品详情 LTC?3615 / LTC3615-1 是一款双通道、3A、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。DC 电源电流仅为 130μA (在无负载时执行突发模式操作),并保持了输出电压,在?;J街薪抵亮愕缌?。2.25V 至 5.5V 的输入电源范围使器件非常适合于单节锂离子电池应用。100% 占空比能力可提供低压差操作,从而延长了电池供电式系统中的工作时间。 该器件的工作频率可在外部设置至高达 4MHz...

    发表于 2019-02-22 14:23 ? 0次阅读
    LTC3615 双通道、4MHz、3A、同步降压...

    LTM4632 用于 DDR-QDR4 存储器的...

    和特点 包括 VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF) 的完整 DDR-QDR4 SRAM 电源解决方案占板面积为 0.5cm2 (双面 PCB) 的解决方案宽输入电压范围:3.6V 至 15V3.3V 输入可兼容连接至 INTVCC 的 VIN0.6V 至 2.5V 输出电压范围双路 ±3A DC 输出电流 (具有提供和吸收能力)±1.5%、±10mA 缓冲 VTTR = VDDQ/2 输出3A VDDQ + 3A VTT 或双相单路 6A VTT在整个负载、电压和温度范围内具有 ±1.5% 的最大总输出电压调节误差电流模式控制,快速瞬态响应外部频率同步多相可并联和均流可选的突发模式 (Burst Mode?) 操作过压输入和过热?;さ缭戳己弥甘酒鞒⌒?6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封装和超薄型 6.25mm x 6.25mm x 2.42mm BGA 封装 产品详情 LTM?4632 是一款超薄的三路输出降压型 μModule? (电源??? 稳压器,可提供用于 DDR-QDR4 SRAM 的完整电源解决方案。LTM4632 可在一个 3.6V 至 15V 的输入电压范围内运作,支持两个用于 VDDQ 和 VTT 的 ±3A 输出电源轨 (两者均可吸收和提供电流) 和一个 10mA 低噪声基准 VTTR 输出。VTT 和 VTTR 皆跟踪并等于 VD...

    发表于 2019-02-22 14:14 ? 8次阅读
    LTM4632 用于 DDR-QDR4 存储器的...

    LTC3876 用于 DDR 电源的双通道 DC...

    和特点 具 VTT 基准的完整 DDR 电源解决方案 宽 VIN 范围:4.5V 至 38V,VDDQ:1V 至 2.5V ±0.67% VDDQ 输出电压准确度 VDDQ 和 VTT 终端控制器 ±1.2% ±50mA 线性 VTTR 基准输出 受控导通时间、谷值电流模式控制 频率可编程范围:200kHz 至 2MHz 可同步至外部时钟 tON(MIN) = 30ns,tOFF(MIN) = 90ns RSENSE 或电感器 DCR 电流检测 电源良好输出电压监视器 过压?;ず偷缌飨拗嫡鄯?耐热性能增强型 38 引脚 (5mm x 7mm) QFN 封装和 TSSOP 封装产品详情 LTC?3876 是一款完整的 DDR 电源解决方案,可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未来的较低电压 DDRX标准。LTC3876 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一个高精度线性 VTT 基准。一个差分输出检测放大器与高精度的内部基准相组合,可提供一个准确的 VDDQ 电源。VTT 控制器负责跟踪高精度的 VTTR 线性基准,并具有 <20mV 的总 DC 误差。对于一个 ±50mA 基准负载,当跟踪二分之一 VDDQ 时,高精度的 VTTR 基准可在整个温度范围内保持 1.2% 的调节准确度。LTC3876 允许在 4.5V 至 38V (最大...

    发表于 2019-02-22 14:11 ? 0次阅读
    LTC3876 用于 DDR 电源的双通道 DC...

    LTC3831-1 用于 DDR 存储器终端的高...

    和特点 VOUT低至 0.4V 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器 VOUT跟踪 1/2 of VIN或外部VREF 无需电流检测电阻器 低 VCC 电源:3V 至 8V 在整个温度范围内的最大占空比 >91% 驱动全 N 沟道外部 MOSFET 高效率:达 95% 可编程固定频率操作:100kHz 至 500kHz 外部时钟同步操作 可编程软启动 低?;缌鳎?lt;10μA 过热?;? 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装? ? ? 产品详情 LTC?3831-1 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831-1 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831-1 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831-1 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作,并具有一个 >91% 的最大占空比。该器件包括一个固定频率 PWM 振荡器,用于实现低输出纹波操作。300kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节,或利用一个外部信号进行同步处理 (同步范围为 100kHz 至高于 500kHz)。在?;J?..

    发表于 2019-02-22 14:11 ? 0次阅读
    LTC3831-1 用于 DDR 存储器终端的高...

    LTC3717 用于 DDR/QDR 存储器终端...

    和特点 VOUT = 1/2 VIN (电源分离器) 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 无需检测电阻器 超快的瞬态响应 真正的电流模式控制 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 双路 N 沟道 MOSFET 同步驱动 电源良好输出电压监视器 宽 VCC 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压?;?任选的短路?;ㄊ逼?采用 16 引脚窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC?3717 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构以提供非常低的占空比,并不需要使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障?;び梢桓鍪涑龉贡冉掀骱腿窝〉亩搪吠;ㄊ逼魈峁?。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的并可由用户设置??淼缭捶段г市砥骷?4V 至 36V 的 VCC...

    发表于 2019-02-22 14:10 ? 4次阅读
    LTC3717 用于 DDR/QDR 存储器终端...

    LTC3831 用于 DDR 存储器终端的高功率...

    和特点 用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器 VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 无需电流检测电阻器 低输入电源电压范围:3V 至 8V 在整个温度范围内的最大占空比 >91% 驱动全 N 沟道外部 MOSFET 高效率:可达 95% 以上 可设置固定频率操作:100kHz 至 500kHz 外部时钟同步操作 可设置软起动 低?;缌鳎?lt;10μA 过热?;? 采用 16 引脚窄体 SSOP 封装? 产品详情 LTC?3831 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作,并具有一个 >91% 的最大占空比。它包括一个固定频率 PWM 振荡器,用于实现低输出纹波操作。200kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节,或利用一个外部信号进行同步处理(同步范围为 100kHz 至 500kHz 以上)。在?;J街?,LTC3831 的电...

    发表于 2019-02-22 14:10 ? 0次阅读
    LTC3831 用于 DDR 存储器终端的高功率...

    LTC3776 用于 DDR/QDR 存储器终端...

    和特点 无需电流检测电阻器 异相控制器减小了所需的输入电容 VOUT2 跟踪 1/2 VREF 对称的输出电流供应/吸收能力 (VOUT2) 扩频操作 (当被使能时) 宽 VIN 范围:2.75V 至 9.8V 恒定频率电流模式操作 0.6V±1.5% 电压基准 (VOUT1) 低压差操作:100% 占空比 用于频率锁定或调节的真正 PLL 内部软起动电路 电源良好输出电压监视器 输出过压?;? 微功率?;J剑篒Q = 9μA 纤巧型扁平(4mm x 4mm)QFN 封装和窄体 SSOP 封装 产品详情 LTC?3776 是一款面向 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压型开关稳压控制器。第二个控制器负责将其输出电压调节至 1/2 VREF,并提供了对称的输出电压供应和吸收能力。 无检测电阻器 (No RSENSE) 型恒定频率电流模式架构免除了增设检测电阻器的需要,并改善了效率。通过使两个控制器异相工作,最大限度地降低了由输入电容的 ESR 所引起的功耗和噪声。 开关频率可被设置为高达 750kHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器和电容器。对于那些对噪声敏感的应用,可以从外部对 LTC3776 的开关频率进行同步处理 (同步范围为 250kHz 至 850kHz),也可启用...

    发表于 2019-02-22 14:10 ? 14次阅读
    LTC3776 用于 DDR/QDR 存储器终端...

    LTC3718 用于 DDR/QDR 存储器终端...

    和特点 非常低的 VIN(MIN):1.5V 超快的瞬态响应 真正的电流模式控制 用于 N 沟道 MOSFET 的 5V 驱动免除了 5V 辅助电源 无需检测电阻器 采用标准的 5V 逻辑电平 N 沟道 MOSFET VOUT(MIN):0.4V VOUT 跟踪 1/2 VIN 或外部 VREF 对称的供应和吸收输出电流限制 可调的开关频率 tON(MIN) < 100ns 电源良好输出电压监视器 可编程软启动 输出过压?;?任选的短路?;ㄊ逼?小外形 24 引脚 SSOP 封装 产品详情 LTC?3718 是一款用于 DDR 和 QDR? 存储器终端的高电流、高效率同步开关稳压控制器。该器件采用一个低至 1.5V 的输入工作,并提供一个等于 (0.5)VIN 的稳定输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以实现高工作频率和非常低的接通时间,而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 及 VOUT 中的变化进行补偿。LTC3718 采用一对标准的 5V 逻辑电平 N 沟道外部 MOSFET,从而免除了增设昂贵 P 沟道或低门限器件的需要。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。故障?;び赡诓空鄯档缌飨拗?、一个输出过压比较器和任选的短路?;ㄊ逼魈峁?。针...

    发表于 2019-02-22 14:10 ? 11次阅读
    LTC3718 用于 DDR/QDR 存储器终端...

    LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存储器...

    和特点 VOUT = 1/2 VREF 可调和对称的吸收 / 供应电流限值 (高达 20A) 真正的电流模式控制,可选择使用检测电阻器 VON 和 ION 引脚在输入和输出电压变化期间允许执行恒定频率操作 ±0.65% 输出电压准确度 效率高达 97% 超快的瞬态响应 2% 至 90% 的占空比 (在 200kHz) tON(MIN) ≤ 100ns 可在采用陶瓷输出电容器 COUT 时保持稳定 电源良好输出电压监视器 宽 VIN 范围:4V 至 36V 高达 1.5MHz 的可调开关频率 输出过压?;?任选的短路?;ㄊ逼?采用 5mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC?3717-1 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构,以在采用和未采用检测电阻器的情况下提供非常低的占空比。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 和 VOUT 中的变化进行补偿。强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部被设定为 VREF 的一半,这可由用户设置。故障?;び梢桓鍪涑龉贡冉掀骱腿窝〉亩搪吠;ㄊ逼魈峁?。针对电源排序的软启动能力采用一个外部定时电容器来实现。稳压器电流限制水平是对称的,并可由用户...

    发表于 2019-02-22 14:09 ? 8次阅读
    LTC3717-1 用于 DDR/QDR 存储器...

    LTC1262 12V、30mA 闪速存储器编程...

    和特点 稳定的 12V ±5% 输出电压无电感器电源电压范围:4.75V 至 5.5V有保证的 30mA 输出低功率:ICC = 500μA?;J街械?ICC:0.5μA8 引脚 PDIP 封装或 SO-8 封装 产品详情 LTC?1262 是一款稳定的 12V、30mA 输出 DC/DC 转换器。该器件专为提供对字节宽闪速存储器进行编程所必需的 12V ±5% 输出而设计。输出将从低至 4.75V 的输入电压提供高达 30mA 电流,并未采用任何电感器。只需 4 个外部电容器即可构成一款尺寸极小的完整表面贴装型电路。TTL 兼容型?;趴梢灾苯恿又烈桓鑫⒋砥?,并把电源电流减小至低于 0.5μA。LTC1262 提供了改善的?;缌餍阅?,且所需的外部组件少于同类竞争解决方案。LTC1262 采用 8 引脚 PDIP 封装或 SO-8 封装。应用12V 闪速存储器编程电源紧凑型 12V 运放电源电池供电型系统 方框图...

    发表于 2019-02-22 13:42 ? 0次阅读
    LTC1262 12V、30mA 闪速存储器编程...

    LTC1263 12V、60mA 闪速存储器编程...

    和特点 有保证的 60mA 输出稳定的 12V ±5% 输出电压无电感器电源电压范围:4.75V 至 5.5V?;J街械?ICC 为 0.5μA (典型值)低功率:ICC = 300μA8 引脚 SO 封装引出脚配置与 LTC1262 和 MAX662 相同 产品详情 LTC?1263 是一款稳定的 12V、60mA 输出 DC/DC 转换器。该器件可提供对双字节宽闪速存储器进行编程所必需的 12V ±5% 输出。输出将从低至 4.75V 的输入电压提供 60mA 电流,并未采用任何电感器。只需 4 个外部电容器即可构成一款尺寸极小的完整表面贴装型电路。输出可以短促地短接至地,并不会损坏器件。高电平有效的 TTL 兼容型?;趴梢灾苯恿又烈桓鑫⒋砥?。在?;J街?,电源电流通常降至 0.5μA。?LTC1263 采用 8 引脚 SO 封装。应用 12V 闪速存储器编程电源 紧凑型 12V 运放电源 电池供电型系统方框图...

    发表于 2019-02-22 13:42 ? 0次阅读
    LTC1263 12V、60mA 闪速存储器编程...

    LTC3634 用于 DDR 电源的 15V、双...

    和特点 3.6V 至15V 输入电压范围每通道的输出电流为±3A效率高达 95%通道之间的 90°/180° 可选相移可调开关频率范围:500kHz 至 4MHzVTTR = VDDQ / 2 = VTT基准准确度为 ±1.6% 的 VTTR (在 0.75V)最佳 VOUT范围:0.6V 至 3V±10mA 缓冲输出负责提供 VREF 基准电压旨在实现超卓的电压和负载瞬态响应的电流模式操作外部时钟同步短路?;な淙牍购凸缺;さ缭戳己米刺涑霾捎?(4mm x 5mm) QFN-28 封装和耐热性能增强型 28 引脚 TSSOP 封装 产品详情 LTC?3634?是一款高效率、双通道、单片式、同步降压型稳压器,可为?DDR1、DDR2?和?DDR3 SDRAM?控制器提供电源及总线终端电压轨。该器件的工作输入电压范围为?3.6V?至?15V,从而使其适合于那些采用一个?5V?或?12V?输入的负载点电源应用以及各种电池供电型系统。VTT?稳定输出电压等于?VDDQIN ? 0.5。一个能驱动?10mA?负载的片内缓冲器可提供一个也等于?VDDQIN ? 0.5?的低噪声基准输出?(VTTR)。此?IC?的工作频率可利用一个外部电阻器在?500kHz?至?4MHz 的范围内进行设置和同步处理。两个通道能够?180°...

    发表于 2019-02-22 12:18 ? 17次阅读
    LTC3634 用于 DDR 电源的 15V、双...

    LTC3618 用于 DDR 终端的双通道、4M...

    和特点 DDR 电源、终端和基准高效率:达 94% 具 ±3A 输出电流能力的双通道输出 2.25V 至 5.5V 输入电压范围 ±1% 输出电压准确度 VTT 输出电压低至 0.5V ?;缌鳎骸?μA VTTR = VDDQIN/2,VFB2 = VTTR 可调开关频率:高达 4MHz 内部补偿或外部补偿 通道之间的 0° / 90° / 180° 可选相移 内部或外部软起动用于 VDDQ,内部软起动用于 VTT 电源良好状态输出 扁平 4mm x 4mm QFN-24 封装和 TSSOP-24 封装产品详情 LTC?3618 是一款双通道、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件提供了一款完整的 DDR 解决方案,具有一个 2.25V 至 5.5V 的输入电压范围。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的 VDDQ 电源。一个缓冲基准可产生等于 50% VDDQIN 的 VTTR,并驱动高达 ±10mA 的负载。第二个稳压器可产生等于 VTTR 的 DDR 终端电压 (VTT)。在 1MHz 开关频率下,两个稳压器均能够提供 ±3A 的负载电流。此 IC 的工作频率可在外部设置至高达 4MHz,因而允许使用小的表面贴装型电感器。在两个通道之间可以选择 0°、90°或 180°的相移,以最大限度地减小输...

    发表于 2019-02-22 12:05 ? 23次阅读
    LTC3618 用于 DDR 终端的双通道、4M...

    中国晶圆制造厂现状跟踪报告

    根据芯思想研究院的统计,截止2018年底我国12英寸晶圆制造厂装机产能约60万片;8英寸晶圆制造厂装...

    发表于 2019-02-21 17:59 ? 1502次阅读
    中国晶圆制造厂现状跟踪报告

    2019内存市场趋势 价格下降成为趋势

    三星电子在存储器上的投资在2018年降至99亿美元,其中DRAM投资81亿美元,NAND投资18亿美...

    发表于 2019-02-21 16:59 ? 1125次阅读
    2019内存市场趋势 价格下降成为趋势

    富士通在存储器领域的另类崛起 用20年专注演绎丛...

    FRAM的非易失性对于当时业界可以说是颠覆性的,存储器的非易失性指在没有上电的状态下依然可以保存所存...

    发表于 2019-02-21 11:32 ? 1094次阅读
    富士通在存储器领域的另类崛起 用20年专注演绎丛...

    三星电子即将开展大规模的收并购(M&A)...

    三星电子是存储器半导体行业全球第一的企业,由于最近存储器半导体需求不振、价格下跌,转为强调发展晶圆代...

    发表于 2019-02-20 17:06 ? 3189次阅读
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    库存仍高+需求疲软,第二季DRAM合约价季跌幅达...

    2019年上半年DRAM产业仍处于供过于求的状态,导致价格持续下跌。

    发表于 2019-02-20 09:12 ? 409次阅读
    库存仍高+需求疲软,第二季DRAM合约价季跌幅达...

    资本和政策保驾护航 促进我国存储器产业化布局完善

    存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。在数字系统中,能保存二进制数据的设备可被称为存储器;在...

    发表于 2019-02-19 15:59 ? 352次阅读
    资本和政策保驾护航 促进我国存储器产业化布局完善

    三星电子至去年底的现金保有额约为880亿美元,比...

    去年8月三星电子曾公布了至2021年1600亿美元的投资计划,其中AI、5G、生物、电子等4大成长事...

    发表于 2019-02-19 15:21 ? 1303次阅读
    三星电子至去年底的现金保有额约为880亿美元,比...

    与90年代的辉煌相比,日本的半导体行业看似进入了...

    全球半导体产业1950s起源于美国,于1970s-1980s完成了第一次由美国到日本的产业转移。在产...

    发表于 2019-02-19 11:01 ? 3810次阅读
    与90年代的辉煌相比,日本的半导体行业看似进入了...

    存储器市况需求冷淡 电竞SSD价格快速走跌

    存储器市况需求冷淡,受到库存水位偏高,首季价格跌幅达到双位数,由于预期市场价格持续下探,??槌Ъ爸斩?..

    发表于 2019-02-18 16:32 ? 549次阅读
    存储器市况需求冷淡 电竞SSD价格快速走跌

    了解虚拟内存和内存分页的概念

    应用程序来说对物理内存地址一无所知。它只可能通过虚拟内存地址来进行数据读写。程序中表达的内存地址,也...

    发表于 2019-02-15 14:19 ? 2232次阅读
    了解虚拟内存和内存分页的概念

    潘建伟在量子网络研究方面取得重要进展——实现基于...

    除量子科技外,我国在芯片领域也传来一好消息。据上海市有关方面透露,备受业界关注的中芯国际14纳米生产...

    发表于 2019-02-15 13:37 ? 862次阅读
    潘建伟在量子网络研究方面取得重要进展——实现基于...

    单片机执行指令过程详解

    因为指令是要求把取得的数送到A累加器,所以取出的数字经内部数据总线进入A累加器,而不是进入指令寄存器...

    发表于 2019-02-15 09:53 ? 1647次阅读
    单片机执行指令过程详解

    计算机芯片的发展历程,以及所有架构的未来趋势

    软件与硬件的通信是通过指令集架构(ISA)进行的。在 1960 年代早期,IBM 有四个互不兼容的计...

    发表于 2019-02-14 15:00 ? 1093次阅读
    计算机芯片的发展历程,以及所有架构的未来趋势

    盘点未来六大存储器 谁将脱颖而出

    对神经形态计算的浓厚兴趣刺激人们研发出一系列全新的存储设备,这些设备可以复制生物神经元和突触功能。最...

    发表于 2019-02-13 11:26 ? 571次阅读
    盘点未来六大存储器 谁将脱颖而出

    预期DRAM市场上半年市况保守 存储器价格将再度...

    2月11日,DRAM大厂南亚科公布今年1月营收为42.58亿元(新台币,下同),受市场需求保守,加上...

    发表于 2019-02-12 11:48 ? 321次阅读
    预期DRAM市场上半年市况保守 存储器价格将再度...

    又一存储器项目助力合肥市打造IC之都

    该项目将于合肥经开区建设康佳存储器事业总部和科研创新中心,引入国内外半导体设计公司和集成电路产业链项...

    发表于 2019-02-11 15:33 ? 531次阅读
    又一存储器项目助力合肥市打造IC之都

    六种最有前景的存储器技术大盘点

    对神经形态计算的浓厚兴趣刺激人们研发出一系列全新的存储设备,这些设备可以复制生物神经元和突触功能。最...

    发表于 2019-02-11 14:53 ? 810次阅读
    六种最有前景的存储器技术大盘点

    受美国出口限制,福建晋华内存颗?;蛟?月停产

    受到美国的出口限制,福建晋华将在2019年3月停止生产DRAM内存颗粒。

    发表于 2019-02-05 06:02 ? 517次阅读
    受美国出口限制,福建晋华内存颗?;蛟?月停产

    PolarFire FPGA带有不可克隆功能 可...

    致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microse...

    发表于 2019-01-30 15:01 ? 402次阅读
    PolarFire FPGA带有不可克隆功能 可...

    全球半导体产业今年预计仅增长1%

    中央社报道,半导体市场需求急冻,第1季产业景气低迷,因不确定性高,全年景气也不乐观,今年不计存储器的...

    发表于 2019-01-30 13:46 ? 905次阅读
    全球半导体产业今年预计仅增长1%

    福建晋华案拉至国家层级 联电恐沦中美谈判牺牲品

    中美贸易战升级延烧,福建晋华被列为此波科技战的关键指标厂商,据指出,福建政府已接获指示将不再插手晋华...

    发表于 2019-01-30 09:22 ? 2481次阅读
    福建晋华案拉至国家层级 联电恐沦中美谈判牺牲品

    详细分析MCS-51单片机内部数据存储器RAM

    8051单片机的内部RAM共有256个单元,通常把这256个单元按其功能划分为两部分:低128单元(...

    发表于 2019-01-29 17:18 ? 723次阅读
    详细分析MCS-51单片机内部数据存储器RAM

    五种主流嵌入式架构的代码压缩技术详细资料说明

    对于嵌入式软件而言,代码尺寸是越小越好。压缩代码以适应受到成本或空间限制的存储子系统已经成为嵌入式系...

    发表于 2019-01-29 15:51 ? 423次阅读
    五种主流嵌入式架构的代码压缩技术详细资料说明

    控制系统设计的PLC八大选型要点说明

    系统设计的水平将直接影响控制系统的性能、设备的可靠性。这其中PLC的选型至关重要,如何根据不同的控制...

    发表于 2019-01-29 15:42 ? 664次阅读
    控制系统设计的PLC八大选型要点说明

    2018年12月北美半导体设备制造商出货金额为2...

    根据SEMI所公布的北美半导体设备出货金额状况,2018年下半年,从7月开始,几乎都是呈现下滑走势,...

    发表于 2019-01-29 14:25 ? 899次阅读
    2018年12月北美半导体设备制造商出货金额为2...

    SN74ABT16240A 具有三态输出的 16...

    'ABT16240A器件是16位缓冲器和线路驱动器,专门用于改善三态存储器地址驱动器,时钟驱动器的性能和密度,和面向总线的接收器和发射器。 这些器件可用作4个4位缓冲区,2个8位缓冲区或1个16位缓冲区。这些器件提供反相输出和对称低电平有效输出使能(OE \)输入。 为了确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16240A的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16240A的工作温度范围为-40°C至85°C。 特性 Widebus和EPIC-IIB是德州仪器公司的商标。 德州仪器WidebusTM家庭成员 最先进的EPIC -IIBTMBiCMOS设计显着降低功耗 典型VOLP(输出接地反弹)&lt; 1 V,VCC= 5 V,TA= 25°C 分布式VCC和GND引脚配置最大限度地降低高速开关噪声 流通式架构优化PCB布局 高驱动输出(-32-mA IOH,64-mA IOL) ...

    发表于 2018-10-15 15:43 ? 59次阅读
    SN74ABT16240A 具有三态输出的 16...

    TMP107-Q1 具有菊花链 UART、EEP...

    TMP107-Q1数字输出温度传感器支持以菊花链方式总计连接32台设备。每个传感器具有唯一的5位地址,存储于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)中.TMP107-Q1能够以0.015625°C的分辨率读取温度,在-20°C至+ 70°C温度范围内的精度达±0.4°C。在具有高精度要求的应用中,TMP107-Q1是负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻的理想替代产品。 存储于EEPROM中的5位唯一地址在自动地址分配操作期间确定,并且基于每个传感器相对于SMAART线主机的位置。该器件有多种工作模式可供选择,最大程度提高了自身灵活性,不仅可针对电池操作降低功耗,还能够为实时控制应用提供高更新率。 TMP107-Q1是各类工业,仪器仪表,通信和环境应用中扩展温度测量的理想选择.TMP107-Q1采用8引脚小外形尺寸集成电路( SOIC)封装,额定工作温度范围为-55°C至+ 125°C。 特性 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 温度1级:-40°C至+ 125°C的环境工作温度范围 器件人体放电模式...

    发表于 2018-09-13 14:31 ? 52次阅读
    TMP107-Q1 具有菊花链 UART、EEP...
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